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M82300-8/UM型 PECVD鍍膜設備
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M82300-8/UM型 PECVD鍍膜設備

PECVD即等離子體增強化學氣相淀積設備,是利用高頻電源輝光放電產生等離子對化學氣相沉積過程施加影響的技術。
M82300-12/UM型 PECVD設備主要用于TOPCON和PERC電池正背面氮化硅減反射鈍化薄膜的生長,也可以用于PERC電池背面氧化鋁薄膜的生長。
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產品描述
設備概述:
PECVD即等離子體增強化學氣相淀積設備,是利用高頻電源輝光放電產生等離子對化學氣相沉積過程施加影響的技術。
M82300-8/UM型 PECVD設備主要用于TOPCON和PERC電池正背面氮化硅減反射鈍化薄膜的生長,也可以用于PERC電池背面氧化鋁薄膜的生長。
 
 
產品的主要特點及優勢:
  • 硅片尺寸可兼容至230MM;
  • 恒溫區長達2600mm,長恒溫區單/雙舟量產工藝驗證;
  • 標配上下新型輔助加熱組件,使用壽命長,壽命期內免維護;
  • 成熟可靠的多軸運動機構及控制系統;
  • 具備背面氧化鋁工藝能力,預留TOPCON升級空間
 
 
主要技術參數
 

成膜種類

氮化硅、氮氧硅、氧化硅、氧化鋁(選配)

典型產能

6060片/小時/臺 (M10硅片,氮化硅,6管/臺)

整機尺寸

9935MM(L)x2460MM(W)x4340MM(H)(不含真空泵)

4600片/小時/臺 (M12硅片,氮化硅,6管/臺)

膜厚范圍

氮化硅:70 - 150NM

5100片/小時/臺 (M10硅片,氮化硅+氧化鋁,6管/臺)

氮化硅+氧化鋁:8 - 20NM(氧化鋁),80 - 150NM(氮化硅)

3880片/小時/臺 (M12硅片,氮化硅+氧化鋁,6管/臺)

典型裝片量

726片/舟 (M6)、640片/舟(M10)

石英管直徑

540MM(外徑)/528MM(內徑)

486片/舟 (M12)、432片/舟(230)

溫度控制范圍

260  650℃

成膜均勻性

氮化硅:片內≤4%、片間≤4%、批間≤3%

恒溫區長度
及精度

≤±1℃/2600MM(450℃)

氮化硅+氧化鋁:片內≤6%、片間≤6%、批間≤5%

工作壓力

220±40PA(VAT閥控壓)

未找到相應參數組,請于后臺屬性模板中添加
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